KCT1808A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流240A,采用采用先進SGT技術制造,極...KCT1808A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流240A,采用采用先進SGT技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 1.25mΩ,最大限度地減少導電損耗,提高效率;具有優異柵極電...
升壓PFC采用了單個低側MOSFET、一個電感器和一個二極管。為了實現高效的交流/直...升壓PFC采用了單個低側MOSFET、一個電感器和一個二極管。為了實現高效的交流/直流轉換,MOSFET柵極驅動器必須滿足特定的要求才能有效驅動MOSFET。這些驅動器的一些...
輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區,IC為放大電流也為PNP三...輸入電壓VIN為NPN三極管Q1提供IB電流使用它處于放大區,IC為放大電流也為PNP三極管Q2的基極電流,通過對IC電流的控制,可使Q2處于飽和狀態并以IE的飽和電流向電容...
KNP3306A場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流80A;采用先進的溝槽技術制造,極低...KNP3306A場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流80A;采用先進的溝槽技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 7mΩ,低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗,提高效率;具有高輸...
當輸出端懸空時,電路通過 R1 對 PNP 三極管 Q1 的基極進行弱上拉,此時基極-發...當輸出端懸空時,電路通過 R1 對 PNP 三極管 Q1 的基極進行弱上拉,此時基極-發射極無電壓差,三極管保持截止狀態。由于無電流流向三極管集電極,BT151 晶閘管的門...
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器,和開關MOS管并接,使開關管電壓應力減...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器,和開關MOS管并接,使開關管電壓應力減少,EMI減少,不發生二次擊穿。在開關管Q1關斷時,變壓器的原邊線圈易產生尖峰電壓和...