KNM48150A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進的溝槽技術制造，低...KNM48150A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流9A，采用先進的溝槽技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 2.8Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有低...
當輸入電壓Ui接通電源后，若晶體管Q2的基極電壓高于發射集電壓，則Q2將導通，進...當輸入電壓Ui接通電源后，若晶體管Q2的基極電壓高于發射集電壓，則Q2將導通，進而導致Q1的基極電壓低于發射集電壓，使Q1也導通，此時輸出電壓Uo與輸入電壓Ui相等。...
Buck（降壓型）拓撲： 核心功能是將輸入的高電壓轉換為較低的輸出電壓（例如1...Buck（降壓型）拓撲： 核心功能是將輸入的高電壓轉換為較低的輸出電壓（例如12V降至5V）。 工作原理是通過開關管的通斷控制，將輸入電壓“斬波”后經電感濾波輸...
KNP2912A場效應管漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，采用先進的溝槽技術制造，極...KNP2912A場效應管漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 6.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；高密...
正接時，會先經過Q1的體二極管，再經過兩個電阻后，使PMOS導通。反接時，由于P...正接時，會先經過Q1的體二極管，再經過兩個電阻后，使PMOS導通。反接時，由于PMOS無法導通，也就達到了保護電路的目的。
輸入端正接時（上正下負），由于MOSFET存在體二極管，所以上電初始階段S端被拉...輸入端正接時（上正下負），由于MOSFET存在體二極管，所以上電初始階段S端被拉低，R1和R2分壓，其中R2上分得的電壓為MOSFET提供偏置使其DS導通，此后DS就像開關一...
