KNY3404C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)...KNY3404C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)制造，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，高效...
Q1，Q3為NPN型三極管，Q2，Q4為PNP型三極管，D1～D4為保護(hù)二極管，二路PWM控制...Q1，Q3為NPN型三極管，Q2，Q4為PNP型三極管，D1～D4為保護(hù)二極管，二路PWM控制信號A，B為高電平或低電平，即A為高電平，B為低電平時(shí)，Q1、Q4導(dǎo)通，Q2、Q3關(guān)斷，此...
表面貼裝式封裝是將MOSFET的管腳及散熱法蘭直接焊接在PCB板表面的焊盤上。這種...表面貼裝式封裝是將MOSFET的管腳及散熱法蘭直接焊接在PCB板表面的焊盤上。這種封裝方式具有安裝密度高、重量輕、不易受損等優(yōu)點(diǎn)。常見的表面貼裝式封裝類型包括晶...
KNP2803A場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極...KNP2803A場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，低柵極電荷，快速切換，?...
單相全橋逆變電路由四個(gè)功率開關(guān)管（IGBT/MOSFET）組成H型橋式拓?fù)洌總€(gè)開關(guān)管...單相全橋逆變電路由四個(gè)功率開關(guān)管（IGBT/MOSFET）組成H型橋式拓?fù)洌總€(gè)開關(guān)管并聯(lián)續(xù)流二極管。通過交替導(dǎo)通對角線開關(guān)管實(shí)現(xiàn)直流-交流轉(zhuǎn)換：正半周Q1、Q4導(dǎo)通，...
