KND8606B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制...KND8606B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 15mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并...
變壓器連接在四橋臂中間，相對的兩對功率開關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截...變壓器連接在四橋臂中間，相對的兩對功率開關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截止，使變壓器的二次側(cè)有功率輸出。當(dāng)功率開關(guān)器件VT1-VT4-導(dǎo)通時，VT2-VT3則截止，...
已知UP由RV1和R4串聯(lián)從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調(diào)整到UP=0.5V，由于運(yùn)放都具...已知UP由RV1和R4串聯(lián)從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調(diào)整到UP=0.5V，由于運(yùn)放都具有虛短特性，當(dāng)流過NMOS管Q1的電流大于1A時，R2兩端電壓大于0.5V，此時虛短特性發(fā)揮...
KNF6450A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用...KNF6450A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流13A，專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，?低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.40Ω，低柵極電荷，最小化開關(guān)損耗，穩(wěn)定可靠；快速...
當(dāng)開關(guān)S1閉合時，電流經(jīng)過S1、電感L1，向負(fù)載供電，流向電源的負(fù)極，供電的同時...當(dāng)開關(guān)S1閉合時，電流經(jīng)過S1、電感L1，向負(fù)載供電，流向電源的負(fù)極，供電的同時，也在給電感充電，由于D1二極管的單向?qū)щ娦裕藭r二極管D1不會工作。
使用兩個MOS管（一個PMOS和一個NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的...使用兩個MOS管（一個PMOS和一個NMOS）構(gòu)建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的漏極，NMOS的源極接地。當(dāng)電源正向供電時，PMOS導(dǎo)通，NMOS截止；反向時，PMOS截止，...
