KIA13N50HF場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(開啟) 0.4Ω，最...KIA13N50HF場效應管漏源電壓500V，漏極電流13A，低導通電阻RDS(開啟) 0.4Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷（典型值45nC），降低開關損耗，性能高效；具有快...
DFN5x6封裝是一種表面貼裝半導體封裝形式，“DFN”代表雙側扁平無引線封裝（Du...DFN5x6封裝是一種表面貼裝半導體封裝形式，“DFN”代表雙側扁平無引線封裝（Dual Flat No-leads），而“5x6”則指其外部尺寸約為5毫米×6毫米。這種封裝是隨著半導...
碳化硅(SiC)，是由碳元素和硅元素組成的一種半導體材料。碳化硅是寬禁帶半導體...碳化硅(SiC)，是由碳元素和硅元素組成的一種半導體材料。碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用...
KIA12N60HF場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流12A，低導通電阻RDS(開啟) 0.53...KIA12N60HF場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流12A，低導通電阻RDS(開啟) 0.53Ω，最大限度地減少導電損耗，超低柵極電荷52nC，高效低耗；快速切換能力、改進的dv...
該電路的輸出級是采用雙管并聯輸出的，目的是增大輸出功率。電路工作電壓采用±...該電路的輸出級是采用雙管并聯輸出的，目的是增大輸出功率。電路工作電壓采用±45V，提高工作電壓可以增大輸出功率，但功放管的管耗和發熱量也在增大，所以在滿足...
基于功率MOSFET的PWM電機驅動，開關頻率高，達到20KHz。不過，MOSFET本身需要一...基于功率MOSFET的PWM電機驅動，開關頻率高，達到20KHz。不過，MOSFET本身需要一定的功率驅動，因為MOSFET的容性負載很大，門級要2A以上的電流驅動才能導通。因此在...
