KIA100N03AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進(jìn)平面條紋DMOS技...KIA100N03AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.3mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有增...
米勒平臺(tái)是IGBT在開關(guān)瞬間，由于集電極電壓的快速變化通過內(nèi)部寄生電容Cgc耦合...米勒平臺(tái)是IGBT在開關(guān)瞬間，由于集電極電壓的快速變化通過內(nèi)部寄生電容Cgc耦合到門極，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電流被“轉(zhuǎn)移”而無法繼續(xù)提升門極電壓所造成的現(xiàn)象。
SOD封裝是大部分貼片二極管的安裝形式。SOD，小外形二級(jí)管（Small OutlineDiod...SOD封裝是大部分貼片二極管的安裝形式。SOD，小外形二級(jí)管（Small OutlineDiode），目前已經(jīng)衍生了一系列標(biāo)準(zhǔn)封裝形式。這些二極管封裝用SOD后面的一串?dāng)?shù)字進(jìn)行區(qū)...
KIA10TB60BP快恢復(fù)二極管開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短，具有超快的45納秒恢復(fù)時(shí)...KIA10TB60BP快恢復(fù)二極管開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短，具有超快的45納秒恢復(fù)時(shí)間、反向電壓至600V，高效穩(wěn)定可靠，還具有高效、低VF，高電流承載能力，高可靠性，...
基本放大電路就是一個(gè)集成運(yùn)放LM307H，并用一個(gè)開關(guān)來控制電路有無反饋的存在。...基本放大電路就是一個(gè)集成運(yùn)放LM307H，并用一個(gè)開關(guān)來控制電路有無反饋的存在。 開關(guān)方向的說明如下：當(dāng)開關(guān)撥向左邊時(shí)，表示無反饋;當(dāng)開關(guān)撥向右邊時(shí)，接入反饋...
當(dāng)開關(guān)撥向左邊時(shí)，表示無反饋；當(dāng)開關(guān)撥向右邊時(shí)，接入反饋電路。用一個(gè)示波器...當(dāng)開關(guān)撥向左邊時(shí)，表示無反饋；當(dāng)開關(guān)撥向右邊時(shí)，接入反饋電路。用一個(gè)示波器來觀察反饋的情況。其中，輸入信號(hào)V1是一個(gè)交流電壓源信號(hào)。示波器A通道連接輸入信...
