原廠特價現(xiàn)貨KIA5N50SD場效應管漏源電壓500V，漏極電流5A，采用先進的溝槽技術...原廠特價現(xiàn)貨KIA5N50SD場效應管漏源電壓500V，漏極電流5A，采用先進的溝槽技術生產(chǎn)，低導通電阻RDS(導通) 1.38Ω，最大限度地減少導通損耗，提高效率；具有堅固的...
由運放和阻容等元件組成的V/I變換電路，能將0—5V的直流電壓信號線性地轉(zhuǎn)換成0...由運放和阻容等元件組成的V/I變換電路，能將0—5V的直流電壓信號線性地轉(zhuǎn)換成0－10mA的電流信號，A1是比較器．A3是電壓跟隨器，構成負反饋回路，輸入電壓Vi與反饋...
V1（+15V）、V2（-15V）：為運算放大器LT1001提供雙電源供電，保證運放正常工作...V1（+15V）、V2（-15V）：為運算放大器LT1001提供雙電源供電，保證運放正常工作，提供合適的工作電壓范圍，讓運放可處理正負信號。
原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA5N50HD場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，用先進的溝槽技...原廠優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA5N50HD場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，用先進的溝槽技術生產(chǎn)，低導通電阻RDS(導通) 1.0Ω，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗，提高...
DIP（雙列直插式封裝） 特點：引腳從封裝兩側(cè)引出，標準引腳間距為2.54毫米，...DIP（雙列直插式封裝） 特點：引腳從封裝兩側(cè)引出，標準引腳間距為2.54毫米，通常采用通孔插裝技術焊接至PCB。 應用：早期廣泛用于微處理器、存儲器等，現(xiàn)仍用于...
TO-262封裝常用于功率半導體器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安裝（Through-Hole）...TO-262封裝常用于功率半導體器件（如MOSFET、IGBT）的通孔安裝（Through-Hole）封裝形式，屬于I2PAK（Improved I2PAK）系列，具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性，適...
