35P10,?-100v-35a,p溝道,KIA35P10BD場效應管現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-03-30
原廠優質P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進的溝槽技術生產，極低導通電阻RDS(導通) 45mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的開關性能；具有低交叉干擾、快速開關，在應用中高效穩定；100%經雪崩測試、dv/dt響應能力提升，可靠且堅固耐用，符合RoHS標準，環保無鉛；適用于PWM應用、負載開關、電源管理等；封裝形式：TO-252，散熱出色。
詳細參數：
漏源電壓：-100V
漏極電流：-35A
導通電阻：45mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-120A
單脈沖雪崩能量：272MJ
功率耗散：125W
閾值電壓：-2V
總柵極電荷：87nC
輸入電容：4650PF
輸出電容：135PF
反向傳輸電容：110PF
開通延遲時間：16nS
關斷延遲時間：35nS
上升時間：48ns
下降時間：18ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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