已知UP由RV1和R4串聯從+12V分壓,圖中把RV1的阻值調整到UP=0.5V,由于運放都具...已知UP由RV1和R4串聯從+12V分壓,圖中把RV1的阻值調整到UP=0.5V,由于運放都具有虛短特性,當流過NMOS管Q1的電流大于1A時,R2兩端電壓大于0.5V,此時虛短特性發揮...
KNF6450A場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流13A,專為高壓、高速功率開關應用...KNF6450A場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流13A,專為高壓、高速功率開關應用設計,?低導通電阻RDS(開啟) 0.40Ω,低柵極電荷,最小化開關損耗,穩定可靠;快速...
當開關S1閉合時,電流經過S1、電感L1,向負載供電,流向電源的負極,供電的同時...當開關S1閉合時,電流經過S1、電感L1,向負載供電,流向電源的負極,供電的同時,也在給電感充電,由于D1二極管的單向導電性,此時二極管D1不會工作。
使用兩個MOS管(一個PMOS和一個NMOS)構建,PMOS的源極接高電平,漏極接NMOS的...使用兩個MOS管(一個PMOS和一個NMOS)構建,PMOS的源極接高電平,漏極接NMOS的漏極,NMOS的源極接地。當電源正向供電時,PMOS導通,NMOS截止;反向時,PMOS截止,...
KNM48150A場效應管漏源擊穿電壓1500V,漏極電流9A,采用先進的溝槽技術制造,低...KNM48150A場效應管漏源擊穿電壓1500V,漏極電流9A,采用先進的溝槽技術制造,低導通電阻RDS(開啟) 2.8Ω,低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗,提高效率;具有低...