KIA2803AB場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽工藝制造，極...KIA2803AB場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，低柵極電荷，降低導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗；具有快速切換、...
當輸入的交流電壓處于正半周時，假設(shè)變壓器次級繞組的上端為正，下端為負。此時...當輸入的交流電壓處于正半周時，假設(shè)變壓器次級繞組的上端為正，下端為負。此時，二極管 D1 和 D3 處于正向偏置而導(dǎo)通，D2 和 D4 處于反向偏置而截止。電流從變壓...
對于單相交流電，如果變壓器采用中心抽頭（接地），2個二極管背對背（即陽極對...對于單相交流電，如果變壓器采用中心抽頭（接地），2個二極管背對背（即陽極對陽極或陰極對陰極）可以組成一個全波整流器。
KND2904A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，采用先進溝槽工藝制造，?極...KND2904A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，采用先進溝槽工藝制造，?極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有低跨導(dǎo)、開關(guān)...
DFN3×3封裝是一種常見的無引腳雙側(cè)扁平封裝（DualFlat No-lead），廣泛用于功...DFN3×3封裝是一種常見的無引腳雙側(cè)扁平封裝（DualFlat No-lead），廣泛用于功率MOSFET等小型電子元器件，標準尺寸為3mm×3mm。
