充電防倒灌電路,防倒灌電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-23
充電防倒灌電路是防止電流從負載（如電池）反向流回充電器或電源，以避免損壞充電器內部的精密電路。這種反向電流被稱為“倒灌”或“回流”，在電源斷電、電壓切換或負載具有儲能元件（如電容、電感）時極易發生。
雙MOS管背靠背架構是目前在電池充放電、電源自動切換等系統中廣泛采用的標準方案，適用于高效率、大電流場景。
正常供電時：兩個PMOS管的柵極被拉低，兩個管子同時導通，電流從輸入端流向輸出端，內阻極小，能量損耗低。
防止倒灌時：當輸出端電壓高于輸入端（如電池電壓倒灌），電流試圖通過MOS管內部的體二極管反向流動。由于兩個MOS管的體二極管是反向串聯的，即使第一個二極管導通，也會被第二個二極管完全阻斷，從而徹底切斷反向通路，保護前級電路。
雙MOS防倒灌電路圖
使用兩個MOS管（一個PMOS和一個NMOS）構建，PMOS的源極接高電平，漏極接NMOS的漏極，NMOS的源極接地。當電源正向供電時，PMOS導通，NMOS截止；反向時，PMOS截止，NMOS導通，形成保護。這種電路結構簡單，可靠性高，適用于多種電壓等級的電源系統中。在設計時，要注意MOS管的耐壓和電流承載能力，確保電路的穩定性和安全性。
5V防倒灌電路圖
保證在充電器給電池充電時，可以正常充電；在充電器拔下，只剩電池時，電池電壓不會在直接到電池充電口，起到防倒灌作用。
采用雙PNP三極管和PMOS管構成，還有采樣電阻和電流檢測芯片。
充電器充電時：三極管Q26.1和三極管Q26.2柵極是連接GND所以是低電平，兩個三極管導通。三極管Q26.1導通后，充電器電壓等于三極管Q26.1上電壓和R1電壓，兩者分壓，導致三極管Q26.1的C端電壓很高，而且三極管Q26.1的C端和三極管Q26.1和三極管26.2的B端相連，導致兩個三極管都關閉。此時PMOS管的G端電壓為低，PMOS管導通，充電器開始充電。
充電器拔下時：三極管Q26.1和三極管Q26.2柵極是連接GND所以是低電平，兩個三極管導通。三極管Q26.2導通后，電池電壓等于三極管Q26.2上電壓和R1電壓，兩者分壓，導致三極管Q26.2的e端電壓很高，此時PMOS管的G端電壓為高，PMOS管一直處于關閉狀態。防止電池電壓到充電口。
USB防倒灌電路圖
在使用USB單獨供電時，上電瞬間U1的2腳及三極管的基極是低電平，此時U1的左側的三極管導通，導通后2、5、6腳為高電平，右側的三極管的基極為高電平三極管截至，3腳保持低電平，進而Q1管子導通，5V_IN近似為USB端口的電壓。
在使用5V_IN供電時，上電瞬間U1右側的三極管導通，此時3腳為高電平，Q1呈截至狀態，進而防止5V_IN輸入到5V_USB。
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