KIA10N60HF漏源電壓600V，漏極電流9.5A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，最大限...KIA10N60HF漏源電壓600V，漏極電流9.5A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，高效低耗；具有快速切換能力、指定雪崩能量、改進的...
為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種...為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這...
ADC0809內部由8路模擬量開關、8位A-D轉換器和三態輸出鎖存緩沖器組成，可以將由...ADC0809內部由8路模擬量開關、8位A-D轉換器和三態輸出鎖存緩沖器組成，可以將由IN7~IN0輸入的8路(通道)模擬量轉成數字量并由D7~D0引腳輸出。 因為8路模擬量輸入共...
KIA100N03AP場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進平面條紋DMOS技...KIA100N03AP場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用先進平面條紋DMOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 3.3mΩ，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有增...
米勒平臺是IGBT在開關瞬間，由于集電極電壓的快速變化通過內部寄生電容Cgc耦合...米勒平臺是IGBT在開關瞬間，由于集電極電壓的快速變化通過內部寄生電容Cgc耦合到門極，導致驅動電流被“轉移”而無法繼續提升門極電壓所造成的現象。
