高頻開關電源/UPS專用 KIA 4360A MOS管 多封裝適配 原廠現貨直供
信息來源：本站 日期：2026-04-27
以下為 KIA 半導體 4360A 系列 N 溝道 MOSFET（4.0A 600V）的完整規格說明，所有內容可直接復制粘貼到網站后臺，表格為 HTML 格式，可直接嵌入。
KIA 4360A系列MOS管，憑借優異的性能表現，完美適配三大主流應用場景，經萬千客戶批量驗證，穩定可靠，
口碑出眾：
? 高頻開關電源場景適配工業控制、5G基站配套電源等高頻開關電源，快速開關特性優異，導通損耗低，助力電源產品能效達標，小型化設計更具優勢，批量供貨穩定，適配每月5000+臺的產能需求。
? UPS電源場景適配數據中心、智能制造等關鍵場景的UPS電源，高可靠性與雪崩耐受能力，確保設備7×24小時不間斷穩定運行，無宕機風險，同時大幅降低生產成本，規避進口斷供隱患。
? 電子鎮流器場景適配工業、商業照明用電子鎮流器，解決頻閃難題，輸出高頻穩定電流，提升照明體驗；小型化封裝適配嵌入式照明、小型燈箱等多種場景，參數一致性高，批量合格率提升至99.5%以上。
國產實力·品質保障，選擇KIA 4360A的四大理由品質靠譜：全批次100%參數測試，通過ISO9001、ISO14001認證，符合RoHS環保標準，性能媲美進口，穩定性遠超行業平均水平。高性價比：國產原廠直供，
成本可控，無需為品牌溢價買單，用親民價格享受進口級品質與服務。靈活適配：多封裝、全規格覆蓋，可根據客戶需求提供定制化適配方案，直接替換原有型號，無需額外投入研發成本。服務貼心：現貨供應、
快速交期，24小時技術支持，從選型到售后全程跟進，解決合作全流程顧慮。
產品：KNX6180B類型：N 溝道高壓 MOSFET規格：800V / 10A / Rds(on)≈1.05Ω封裝：TO-220F用途：開關電源、適配器、充電樁、工業電源、AC-DC 反激電源
可完全替代 / 競品型號
? 國產替代：SVF10N80F、HJ10N80F、YJG10N80A、JJW10N80、FMV10N80、SIT10N80
? 臺系競品：AP10N80GI、MD10N80、NCE10N80、TD10N80
? 進口替代：FQP10N80、SPA10N80C3、STW10N80K5、TK10A80W
4360A 系列是 KIA 半導體推出的4.0A 600V N 溝道增強型功率 MOSFET，采用先進工藝制造，具備低導通電阻、快速開關特性，專為高頻開關電源、UPS、電子鎮流器等場景設計。
低導通電阻：RDS (ON)=1.9Ω(典型值) @ VGS=10V, ID=2A
快速開關性能
100% 雪崩能量測試驗證
優化的 dv/dt 抗擾能力
3. 典型應用（Application）
高頻開關電源（High frequency switching mode power supply）
不間斷電源（UPS, Uninterruptible Power Supply）
電子鎮流器（Electronic ballast）
4. 引腳配置（Pin Configuration）
4.1 封裝形式
TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
|
引腳號 |
功能 |
|
1 |
Gate（柵極） |
|
2 |
Drain（漏極） |
|
3 |
Source（源極） |
|
4 |
Drain（漏極，部分封裝共用散熱端） |
| Part Number | Package | Brand |
|---|---|---|
| KND4360A | TO-252 | KIA |
| KNU4360A | TO-251 | KIA |
| KNP4360A | TO-220 | KIA |
| KNF4360A | TO-220F | KIA |
| Parameter | Symbol | TO220 | TO220F | TO251 | TO252 | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Drain-source voltage | VDSS | 600 | 600 | 600 | 600 | V |
| Gate-source voltage | VGSS | ±30 | ±30 | ±30 | ±30 | V |
| Continuous drain current ID | TC=25℃ | 4.0 | 4.0* | 4.0* | 4.0* | A |
| TC=100℃ | 2.78 | 2.78* | 2.78* | 2.78* | A | |
| Pulsed drain current (note1) | IDM | 16 | 16* | 16* | 16* | A |
| Avalanche energy (Single pulse, note2) | EAS | 180 | 180 | 180 | 180 | mJ |
| Peak diode recovery dv/dt (note3) | dv/dt | 4.8 | 4.8 | 4.8 | 4.8 | V/ns |
| Total power dissipation PD | TC=25℃ | 100 | 44.6 | 44.6 | 44.6 | W |
| Derate above 25℃ | 0.8 | 0.357 | 0.357 | 0.357 | W/℃ | |
| Thermal Resistance Junction to Case RθJC | - | 1.25 | 3.75 | 2.8 | 2.8 | ℃/W |
| Storage temperature range | TSTG | -55~+150 | -55~+150 | -55~+150 | -55~+150 | ℃ |
*Drain current limited by maximum junction temperature.
7. 電氣特性（Electrical Characteristics）
條件：除非另有說明，均在 Tj=25℃下測試
| Parameter | Symbol | Conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Off characteristics | ||||||
| Drain-source breakdown voltage | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | - | - | V |
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=480V, TC=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| Gate-body leakage current | Forward IGSS | VGS=30V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| Reverse IGSS | VGS=-30V, VDS=0V | - | - | -100 | nA | |
| Breakdown voltage temperature coefficient | △BVDSS/△TJ | Reference to 25℃, ID=250μA | - | 0.65 | - | V/℃ |
| On characteristics | ||||||
| Gate threshold voltage (note4) | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| Static drain-source on-resistance | RDS(ON) | VGS=10V, ID=2.0A | - | 1.9 | 2.3 | Ω |
| Forward Transconductance | GFS | VDS=30V, ID=2.0A | - | 5.5 | - | S |
| Dynamic characteristics | ||||||
| Input capacitance | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 511 | - | pF |
| Output capacitance | COSS | - | 56.6 | - | pF | |
| Reverse transfer capacitance | CRSS | - | 5.55 | - | pF | |
| Switching characteristics | ||||||
| Turn-on delay time | td(ON) | VDD=300V, ID=4.0A, RG=10Ω, VGS=10V | - | 11.3 | - | ns |
| Rise time | tr | - | 14.7 | - | ns | |
| Turn-off delay time | td(OFF) | - | 37.6 | - | ns | |
| Fall time | tf | - | 10.4 | - | ns | |
| Total gate charge | QG | VDD=480V, ID=4.0A, VGS=10V | - | 15.3 | - | nC |
| Gate-source charge | QGS | - | 2.45 | - | nC | |
| Gate-drain charge | QGD | - | 6.56 | - | nC | |
| Drain-source diode characteristics | ||||||
| Drain-source diode forward voltage | VSD | VGS=0V, ISD=4.0A | - | - | 1.4 | V |
| Continuous drain-source current | ISD | - | - | - | 4 | A |
| Pulsed drain-source current | ISM | - | - | - | 16 | A |
| Reverse recovery time | trr | ISD=4.0A, VGS=0V, di/dt=100A/μs | - | 315 | - | ns |
| Reverse recovery charge | QRR | - | 1.83 | - | μC | |
Notes:
1. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature
2. L=10mH, IAS=6.0A, VDD=50V, RG=25Ω, starting TJ=25℃
3. ISD≤4.0A, di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, starting TJ=25℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2%
8. 測試電路與波形說明
8.1 核心測試電路 柵極電荷測試電路（Gate Charge Test Circuit）：用于測量 QG、QGS、QGD，通過雙管電路實現電荷波形采集。
阻性開關測試電路（Resistive Switching Test Circuit）：測量開通 / 關斷延遲、上升 / 下降時間，VDD為電源，RL為負載電阻。
非鉗位感性開關測試電路（Unclamped Inductive Switching Test Circuit）：用于驗證雪崩能量 EAS耐受能力，公式：EAS = 1/2 × L × IAS2 × (BVDSS / (BVDSS - VDD))。
二極管恢復 dv/dt 測試電路（Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit）：用于驗證反向恢復過程中的 dv/dt 抗擾能力，包含驅動柵極電路與電流、電壓波形采集點。
8.2 典型特性曲線（說明）
輸出特性曲線（Output Characteristics）：不同 VGS下，ID隨 VDS的變化趨勢 轉移特性曲線（Transfer Characteristics）：
ID隨 VGS的變化關系，含 25℃與 150℃對比 導通電阻與電流 / 柵壓關系曲線：RDS(ON)隨 ID、VGS的變化
體二極管正向電壓曲線：VSD隨 ISD與溫度的變化 電容特性曲線：CISS、COSS、CRSS隨 VDS的變化
柵極電荷特性曲線：VGS隨 QG的變化關系 擊穿電壓 /
導通電阻與溫度關系曲線：BVDSS、RDS(ON)隨 TJ的變化 最大安全工作區（SOA）曲線：不同脈沖寬度下 ID與 VDS的安全工作邊界
連續漏極電流與殼溫關系曲線：ID隨 TC的下降趨勢 瞬態熱阻抗曲線：ZθJC隨脈沖持續時間的變化關系
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
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