?DC/DC降壓電路原理圖,應(yīng)用領(lǐng)域詳解-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2026-04-24
工作原理:利用開關(guān)器件(如MOSFET)快速開關(guān),結(jié)合電感、電容的儲(chǔ)能濾波作用,完成輸入高壓到低壓的轉(zhuǎn)換。
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):以Buck電路為代表,通過PWM控制開關(guān)占空比來精確調(diào)節(jié)輸出電壓。
特點(diǎn):輸出電壓低于輸入電壓,效率較高,輸出電流紋波相對(duì)較小,常用于對(duì)電壓穩(wěn)定性要求較高的場(chǎng)合,如電腦主板、手機(jī)充電器等。
DC-DC降壓電路的核心功能是通過開關(guān)器件和儲(chǔ)能元件實(shí)現(xiàn)高效直流電壓轉(zhuǎn)換。
Buck基本框圖如下:
當(dāng)開關(guān)S1閉合導(dǎo)通時(shí),VA電壓為高,Vin給電感L1充電,流過電感L1的電流逐漸增加,電流路徑見上圖綠色回路。
當(dāng)開關(guān)S1斷開時(shí),Va為低電平,電感L1通過負(fù)載和二極管放電,電感L1的電流逐漸減小,電流路徑見下圖藍(lán)色部分。
BUCK的基本工作過程就是對(duì)電感充放電的過程。
說明:在同步BUCK中D1會(huì)被開關(guān)代替,以提高效率,在S1斷開時(shí),圖中使用的是續(xù)流二極管,則在S1斷開時(shí),VA其實(shí)是有一部分的負(fù)電壓的(差不多剛好-0.7V)。
電動(dòng)車:將動(dòng)力電池高壓(如400V)降壓至12V,為車載低壓設(shè)備供電并給蓄電池充電。
消費(fèi)電子:手機(jī)、筆記本中將電池電壓(如5V)降至核心芯片所需電壓(如1.8V、3.3V)。
工業(yè)電源:為嵌入式系統(tǒng)、傳感器等提供高效、穩(wěn)定的低壓直流電源。
要點(diǎn)說明
同步整流:用MOSFET替代二極管,可進(jìn)一步提升效率,尤其適用于大電流場(chǎng)合。
控制方式:常用PWM(脈寬調(diào)制),固定頻率、調(diào)節(jié)占空比;輕載時(shí)可能切換至PFM(脈頻調(diào)制)以提高效率。
設(shè)計(jì)要點(diǎn):需合理選擇開關(guān)頻率、電感量、電容ESR及PCB布局,以減小紋波和電磁干擾。
選型要點(diǎn)
耐壓裕量:MOSFET的漏源擊穿電壓VDss應(yīng)大于最大輸入電壓Vin(max,通常建議留1.5~2倍裕星,即VDss≥1.5×Vin(max)。
電流能力:連續(xù)漏極電流ID需大于最大輸出電流lout(max),并考慮占空比影響;高側(cè)MOSFET電流應(yīng)力與輸出電流相關(guān),低側(cè)MOSFET在同步整流時(shí)電流接近lout(max)。
導(dǎo)通電阻RDS(on):越小越好,可顯著降低導(dǎo)通損耗;需參考最大工作結(jié)溫下的RDS(on)最大值,因該參數(shù)具有正溫度系數(shù)。
柵極電荷Qg與輸入電容Ciss:影響開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)需求;高頻應(yīng)用(>200kHz)應(yīng)優(yōu)先選擇低Qg和低Ciss的MOSFET以減少開關(guān)損耗。
封裝與熱管理:選擇適合散熱的封裝(如SO-8、DPAK、TO-220),并結(jié)合PCB銅箱面積計(jì)算結(jié)溫Tj=Tambient+Pdiss×θJA,確保Tj<150°C。
常用于DC-DC降壓電路的KIA場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào):
KIA5610BU
漏源電壓:100V
漏極電流:5.4A
導(dǎo)通電阻:310mΩ(@VGS=10V)
封裝:TO-251
特點(diǎn):適用于高頻同步降壓變換器,具有超低柵極電荷和優(yōu)異Cdv/dt特性
KIA40N20A
漏源電壓:200V
漏極電流:40A
導(dǎo)通電阻:≤80mΩ(@VGS=10V)
封裝:TO-220/TO-3P
特點(diǎn):高雪崩耐量,適用于中高功率DC-DC、UPS、電機(jī)控制等
KIA6110A
漏源電壓:100V
漏極電流:12A
導(dǎo)通電阻:90mΩ(@VGS=10V)
封裝:TO-251/TO-252
特點(diǎn):專為同步降壓優(yōu)化,可代換NCE0117K5型號(hào)
聯(lián)系方式:鄒先生
座機(jī):0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950(微信同號(hào))
QQ:2880195519
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