?nce6050ka參數(shù),50n06場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨,KIA50N06BD-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2026-04-14
漏源擊穿電壓（Vdss）：60V
連續(xù)漏極電流（Id）：50A
漏源導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分測(cè)試條件下可低至13.8mΩ
最大功率耗散（Pd）：85W
柵源極閾值電壓（Vgs（th））：2.5V（測(cè)試條件ld=250uA）
柵極電荷量（Qg）：50nC
輸入電容（Ciss）：2.05nF
nce6050ka采用TO-252封裝，廣泛應(yīng)用于電源管理及電機(jī)控制領(lǐng)域。
原廠(chǎng)優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨KIA50N06BD場(chǎng)效應(yīng)管是nce6050ka同規(guī)格、同封裝、可直接替換的型號(hào)，具有參數(shù)均衡、性?xún)r(jià)比高、國(guó)內(nèi)貨源充足等優(yōu)勢(shì)。
KIA50N06BD是一款N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)為漏源電壓60V、連續(xù)漏極電流50A，采用TO-252封裝，導(dǎo)通電阻10.5mΩ，主要用于電動(dòng)車(chē)控制器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等應(yīng)用場(chǎng)景。
KIA50N06BD采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，具有低功耗、低內(nèi)阻，導(dǎo)通損耗小、溫升低，低柵極電荷（Qg），開(kāi)關(guān)速度快、效率高；高雪崩電流，能夠承受較高的電壓脈沖，在應(yīng)用中高效穩(wěn)定可靠；國(guó)內(nèi)原廠(chǎng)穩(wěn)定供貨，通用性強(qiáng)，性?xún)r(jià)比高，適合消費(fèi)電子、電源等。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
導(dǎo)通電阻：10.5mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：250A
單脈沖雪崩能量：120MJ
功率耗散：88W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：2060PF
輸出電容：755PF
反向傳輸電容：375PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：14nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：20nS
上升時(shí)間：13ns
下降時(shí)間：7.5ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
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