5v過壓保護(hù)電路,電路圖原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-03-05
1.供電端：芯片VIN腳接外部5V輸入（需串聯(lián)一個(gè)限流電阻，防止上電沖擊），GND腳接地。
2.閾值設(shè)定：通過芯片的SET腳外接兩個(gè)分壓電阻（R1、R2），將輸入電壓分壓后反饋至芯片內(nèi)部，公式為：保護(hù)閾值V_OV=1.24V×（1+R1/R2）（1.24V為芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓）。
若需5.5V保護(hù)，可選擇R1=4.26kQ、R2=1kQ（計(jì)算：1.24×（1+4.26/1)=5.5V）。3.輸出端：芯片VOUT腳接后級(jí)5V負(fù)載，當(dāng)輸入電壓超過V_OV時(shí)，芯片會(huì)快速切斷VOUT輸出，直到電壓恢復(fù)正常后自動(dòng)復(fù)位。
注意事項(xiàng)
1.閾值留裕：保護(hù)閾值需高于正常5V輸入的波動(dòng)范圍（如5V電源通常允許±5%波動(dòng)，即4.75V-5.25V），建議設(shè)定為5.5V-6V，避免誤觸發(fā)。
2.功率匹配：若后級(jí)負(fù)載電流較大（如超過1A），需選擇大電流規(guī)格的OVP芯片（如TPS24710支持3A輸出），同時(shí)確保限流電阻、導(dǎo)線的功率滿足需求。
3.瞬態(tài)防護(hù)：若輸入電壓可能存在尖峰脈沖（如電源插拔時(shí)），需在保護(hù)電路前端并聯(lián)TVS瞬態(tài)抑制二極管（如SMBJ6.5CA），吸收瞬態(tài)高壓，避免擊穿保護(hù)芯片。
1.當(dāng)VIN輸入電壓小于5.1V時(shí)的情況，假定輸入5V，穩(wěn)壓管導(dǎo)通電壓為5.1V，所以穩(wěn)壓管D1不導(dǎo)通，因此三極管Q2就不會(huì)導(dǎo)通，接著MOS管Q1的柵極就會(huì)被R3拉到OV,P-MOS,Vgs=-5V,p-MOS管導(dǎo)通，此時(shí)Vout會(huì)正常輸出5V.
2.此時(shí)電源供給一個(gè)5.3V左右的電壓，穩(wěn)壓管D1導(dǎo)通電壓為5.1V因此導(dǎo)通，三極管e極電壓5.3V,b極電壓5.1V,Vbe=-0.2V.因此三極管Q2還是不會(huì)導(dǎo)通，后面的情況和上面一樣，P-MOS會(huì)打開，VOUT正常輸出在5.3V左右。給后級(jí)正常供電。
3.此時(shí)輸入5.9V,穩(wěn)壓管開啟電壓為5.1V，因此導(dǎo)通，電阻R1兩端的壓降為5.9-5.1=0.8V.三極管e極電壓5.9V,b極電壓5.3V,Vbe=0.6V,三極管Q2被打開當(dāng)三極管Q2打開以后，P-MOS的柵極電壓就變?yōu)?.9V,Vgs=0V.因此MOS管Q1不導(dǎo)通，就會(huì)沒有輸出，以保護(hù)后級(jí)電路。
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。
