bldc電機驅動mos管,27a800v場效應管,7880mos管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-27
KNK7880A場效應管漏源擊穿電壓800V，漏極電流27A，采用先進的平面工藝制造，低導通電阻RDS(開啟) 280mΩ，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，高效率低損耗；具有低柵極電荷、堅固的多晶硅柵極結構，可靠穩定；廣泛應用于BLDC電機驅動器、電焊機、高效開關電源、電源分流器、電箱等；封裝形式：TO-264，散熱良好。
詳細參數：
漏源電壓：800V
漏極電流：27A
導通電阻：280mΩ
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：108A
雪崩能量單脈沖：4200MJ
總功耗：650W
總柵極電荷：185nC
輸入電容：7280PF
輸出電容：660PF
反向傳輸電容：35PF
開通延遲時間：56nS
關斷延遲時間：82nS
上升時間：105ns
下降時間：96ns
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