場效應管工作原理圖-場效應管原理圖簡介、參數、作用詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-07-11
這是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS場效應管工作原理圖。
MOS場效應管也被稱為MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型MOS 場效應管，其內部結構見圖5。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于MOS場效應管工作原理圖場效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
為解釋MOS
場效應管的工作原理，我們先了解一下僅含有一個P—N結的二極管的工作過程。如圖所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極管截止。
對于MOS場效應管工作原理圖（見圖7），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處與截止狀態（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖8給出了P溝道的MOS場效應管的工作過程，其工作原理類似這里不再重復。
下面簡述一下用C-MOS場效應管（增強型MOS 場效應管）組成的應用電路的工作過程（見圖9）。電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管工作原理圖MOS場效應管總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。
效應管是只有一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結型場效應三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和絕緣柵型場效應三極管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET（Metal Oxide SemIConductor FET）。MOS場效應管有增強型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗盡型(Depletion)MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。
場效應管有三個電極：
D(Drain) 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；
G(Gate) 稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；
S(Source) 稱為源極，相當于雙極型三極管的發射極。
道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在P型半導體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區，從N型區引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極 G。P型半導體稱為襯底(substrat)，用符號B表示。
當Vgs=0 V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間形成電流。
當柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th) 稱為開啟電壓），通過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排斥，出現了一薄層負離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運動，但數量有限，不足以形成溝道，所以仍然不足以形成漏極電流ID。
進一步增加Vgs，當Vgs＞Vgs(th)時，由于此時的柵極電壓已經比較強，在靠近柵極下方的P型半導體表層中聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導電溝道中的電子，因與P型半導體的載流子空穴極性相反，故稱為反型層（inversion layer）。隨著Vgs的繼續增加，ID將不斷增加。
在Vgs=0V時ID=0，只有當Vgs＞Vgs(th)后才會出現漏極電流，這種MOS管稱為增強型MOS管。
VGS對漏極電流的控制關系可用iD=f(vGS)|VDS=const這一曲線描述，稱為轉移特性曲線，見圖。
轉移特性曲線斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 gm 的量綱為mA/V，所以gm也稱為跨導。
跨導的定義式如下：
gm=△ID/△VGS|(單位mS)
當Vgs＞Vgs(th)，且固定為某一值時，來分析漏源電壓Vds對漏極電流ID的影響。Vds的不同變化對溝道的影響如圖所示。
根據此圖可以有如下關系:
VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS
VGD=VGS—VDS
當VDS為0或較小時，相當VGD＞VGS(th)，溝道呈斜線分布。在緊靠漏極處，溝道達到開啟的程度以上，漏源之間有電流通過。
當VDS 增加到使VGD=VGS(th)時，相當于VDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為預夾斷，此時的漏極電流ID基本飽和。
當VDS增加到 VGD
當VGS＞VGS(th)，且固定為某一值時，VDS對ID的影響，即iD=f(vDS)|VGS=const這一關系曲線如圖所示。
這一曲線稱為漏極輸出特性曲線。
伏安特性
1． 非飽和區
非飽和區（Nonsaturation Region）又稱可變電阻區，是溝道未被預夾斷的工作區。由不等式VGS>VGS(th)、VDS
2．飽和區
飽和區(Saturation Region)又稱放大區，是溝道預夾斷后所對應的工作區。由不等式VGS>VGS(th)、VDS>VGS-VGS(th) 限定。漏極電流表達式：
在這個工作區內，ID受VGS控制。考慮厄爾利效應的ID表達式：
3．截止區和亞閾區
VGS
4．擊穿區
當VDS 增大到足以使漏區與襯底間PN結引發雪崩擊穿時，ID迅速增加，管子進入擊穿區。
開啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值，場效應管不能導通。
夾斷電壓是耗盡型FET的參數，當VGS=VGS(off) 時，漏極電流為零。
耗盡型場效應三極管，當VGS=0時所對應的漏極電流。
場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω。
低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門子)。
最大漏極功耗可由PDM=VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當
先用萬用表R×10kΩ擋(內置有9V或15V電池)，把負表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再改用萬用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。
將萬用表撥至R×100檔，紅表筆任意接一個腳管，黑表筆則接另一個腳管，使第三腳懸空。若發現表針有輕微擺動，就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉，即說明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。
判斷理由：
JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導很高，當柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應出電壓信號，使管子趨于截止，或趨于導通。若將人體感應電壓直接加在柵極上，由于輸入干擾信號較強，上述現象會更加明顯。如表針向左側大幅度偏轉，就意味著管子趨于截止，漏-源極間電阻RDS增大，漏-源極間電流減小IDS。反之，表針向右側大幅度偏轉，說明管子趨向導通，RDS↓，IDS↑。但表針究竟向哪個方向偏轉，應視感應電壓的極性(正向電壓或反向電壓)及管子的工作點而定。
注意事項：
(1)試驗表明，當兩手與D、S極絕緣，只摸柵極時，表針一般向左偏轉。但是，如果兩手分別接觸D、S極，并且用手指摸住柵極時，有可能觀察到表針向右偏轉的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對場效應管起到偏置作用，使之進入飽和區。
(2)也可以用舌尖舔住柵極，現象同上。
三極管是由管芯(兩個PN結)、三個電極和管殼組成，三個電極分別叫集電極c、發射極e和基極b，目前常見的三極管是硅平面管，又分PNP和NPN型兩類。現在鍺合金管已經少見了。
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